近日，采访人员从山东国镓晶谷半导体科技有限公司获悉，国镓晶谷近期正式完成A轮战略融资，整体估值区间达5亿元至10亿元。本轮融资由产业资本加注，资金将主要用于氧化镓衬底产能扩张、技术迭代与下游市场导入。

氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料的核心代表，凭借约8 MV/cm的理论击穿场强，被视为高压功率器件领域最具潜力的下一代材料之一，广泛应用于特高压输变电、新能源汽车、大型储能等场景。然而，高端氧化镓衬底市场长期由海外企业主导，大尺寸、低缺陷晶体的稳定制备是行业公认难题。

业内共识是，(001)晶面最适合功率器件外延生长，却因天然解理易裂、生长过程易产生孪晶，尺寸越大缺陷控制难度越高。国镓晶谷以博士团队为核心，依托自研导模法工艺，实现2-6英寸全尺寸(001)零孪晶氧化镓衬底的技术覆盖：其中 2-4英寸产品已稳定批量生产，6英寸完成试制并具备小批量供货能力，关键指标达到国际同类公开报道水平。

国镓晶谷方面表示，本轮融资将重点投向三个方向：一是扩大2-4英寸衬底量产规模，提升稳定交付能力；二是持续优化6英寸产品良率，推进更大尺寸晶体、精准掺杂与配套外延技术攻关；三是加快产品在功率器件、新能源车、电网等高端场景的验证导入。

据半导体行业专业人士指出，国产功率半导体将从“跟随追赶”转向“自主引领”，氧化镓赛道的国产化突破对于补齐超宽禁带材料供应链短板具有标志性意义。本轮5亿至10亿元估值，被产业界视为对国镓晶谷从技术验证走向规模量产能力的一次确认。国镓晶谷公司负责人称，将以本轮融资为起点，推动国产氧化镓衬底从“技术领先”迈向“产业领先”。

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